全部学习汇总： GreyZhang/g_TC275: happy hacking for TC275! (github.com)

1. PMU是编程存储单元的缩写，但是落实到了具体的硬件模块上其实是一个Flash模块。
2. 在TC275中，只有一个PMU模块。
3. 在所有的AURIX芯片中，只有PMU0支持BootROM的处理。
4. 所有的额Flash的控制操作全都通过统一的接口FSI来实现。

这是PMU0相关的存储映射，每一个MCU的实现都是这个列表中的一个子集。

1. DFlash必须以Round-Robin的模式来进行擦写以保证整个FLASH的寿命。
2. BootROM主要是包含两部分功能：启动代码、测试固件。

1. 擦除以及编程的操作结束之后，可以通过中断来提示。
2. ECC的设计满足了ASILD-D的标准。
3. 5V与3.3V有独立的编程模式，这个没有看懂是什么概念。应该不是说Flash有5V以及3.3V两种供电，这个之前看供电部分的时候信息应该非常确定。那么，这个意思或许是说在5V系统和3.3V系统之中，编程模式是偶差异的？
4. DFlash与PFlash的操作是分开的，彼此之间不会有读取访问上的影响。

1. 如同PFlash，DFlash在操作完成之后也可以触发中断提示。
2. 从后面着色的这部分看，应该是说BootROM不可以更新？如果是进行写入操作的话会触发一个总线错误。

这一页的信息对于了解Flash的操作非常有用，因为把几个基本的概念都讲清楚了。

1. 对于这个MCU来说，擦除意味着把所有的Flash全都写成逻辑0。Flash的擦除根据不同的Flash的属性，只能够以完成的物理分区、逻辑分区或者字行的形式来擦除。
2. 而编程，也就是写入则是把一个存储单元写成逻辑1。
3. 保持性是说在相应的时间内，Flash存储的信息可以稳定读取的一个事件。随着编程以及擦写循环的增加，这个保存事件会逐渐减少。
4. 忍受度是一个寿命的概念，或者说是擦除次数的概念。这个针对不同的存储模块，数值是不行同的。

1. 一个模块可能包含多个独立的bank，PFlash可能有一个或者多个Bank，而DFlash是有2个Bank。不同的Bank可以支持一定程度上的并发操作，但是并不是全部的操作都可以并发。
2. 一个Bank可能包含多个分区，对于PFlash来说，是通过512K的分区来组成的。而DFlash则是分成了若干个逻辑分区。而逻辑分区，其实是通过分区来进一步拆分出来的。
3. 页，在PFlash中是按照32个字节来对齐的，而在DFlash中是按照8个字节来对齐的。页是一个FLASH可以进行编程的最小单元。
4. Burst是一个命令可以编程的最大的数据，PFlash中是8页，一共256个字节。DFlash中是4页，32个字节。
5. 字行，这对于DFlash以及PFlash都是一样的，都是按照512个字节来对齐的。
6. 所有的PFlash都是连续的，而且按照统一的分区结构。

这个就是一个PFlash的分区结构，总的一共是2M，如果低于2M那么肯定是后面的若干分区sector是裁剪掉了的。

这部分信息主要是介绍EEPROM的，或者说是FEE。相关的寿命等信息是可以从数据手册中查到的，从描述看，建议的组合最大值可能是总量的1/6左右，大概是64K。为什么会是这样的数值以及这个数据论断的由来是什么？暂且没有看到什么说明。