闪德资讯获悉,据摩根大通在最新报告中指出,随着AI推理应用推动存储需求持续增加,叠加多项新技术路径采用KV Cache技术,预计未来三年eSSD内容量显著加速至900EB。
与此同时,HDD供应紧张也对SSD带来正向需求,预计HDD与SSD将在不同应用场景中实现互补共存。
尽管市场普遍认为NAND闪存吸引力不及DRAM,但摩根大通分析认为,原厂在资本支出方面比较审慎,加上重心聚焦在DRAM领域,在eSSD需求强劲增长带动下,预计至2028年面向AI应用NAND闪存整体潜在市场将达到约700亿美元。
技术演进方面,随着原厂将更多资源调配至DRAM产线,用于NAND闪存占比将持续下降。
此外,HBF目前仍处于概念验证阶段,若未来实现商业化应用,相较于传统3D NAND,有望进一步优化行业供需结构。
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