截至5月11日10点4分，上证指数涨0.61%，深证成指涨1.06%，创业板指涨1.01%。国家大基金持股、半导体、中芯国际概念等板块涨幅居前。

ETF方面，科创芯片设计ETF易方达（589030）涨4.67%，成分股普冉股份（688766.SH）涨停，裕太微-U（688515.SH）、澜起科技（688008.SH）涨超10%，杰华特（688141.SH）、峰岹科技（688279.SH）、思瑞浦（688536.SH）、聚辰股份（688123.SH）、纳芯微（688052.SH）、佰维存储（688525.SH）、ST臻镭（688270.SH）涨超5%。

消息面上，AI芯片需求激增成为本轮韩国股市大涨的核心驱动力，并带动全球半导体板块情绪。SK海力士股价大涨10%，三星电子涨6.7%，股价均刷新历史纪录。同时，美股费城半导体指数于前一交易日大涨5.51%，存储芯片股领涨，美光科技涨超15%，英特尔涨近14%，AMD涨超11%，均创下新高。全球半导体市场在AI算力需求驱动下表现强劲。

兴业证券表示，存储景气度持续上行，扩产驱动设备大周期来临。存储需求在AI训练和推理中持续通胀，受制于技术升级及扩产周期，产能扩张幅度以及无尘室空间有限，我们预计供需紧张有望持续到2027年之后，并带动了资本开支的大爆发。美光上修FY2026资本开支至250亿美元，海力士80亿美元提前锁定光刻机产能，全球存储大扩产开启。对于国产存储，AI及国产替代打开需求空间；技术端，长江存储300+层3DNAND产品量产、长鑫存储HBM突破进一步强化全球竞争地位；资金端两存有望通过上市获得进一步支持；“需求+技术+资金”三重共振，我们认为国产存储扩产加速拐点已现，重点推荐存储设备材料产业链投资机会。

科创芯片设计ETF易方达（589030）跟踪上证科创板芯片设计主题指数，该指数中数字芯片设计权重占比超76%，或充分受益于产业上行趋势。