苹果迎接 AI 浪潮，酝酿为 iPhone 改用 QLC NAND
IT之家 7 月 25 日消息，集邦咨询于 7 月 22 日发布市场研报，透露苹果公司正酝酿使用 QLC NAND 闪存，最早 2026 年用于 iPhone 产品中，让其存储上限达到 2TB。
QLC 和 TLC
TLC 的全称是 Triple Level Cell（三层单元），进一步增加存储密度，每个存储单元存储三位信息。
TLC NAND 的成本甚至低于 MLC NAND，使其成为消费电子产品和主流 SSD 的有吸引力选择。
QLC 的全称是 Quad-level cells（四层单元），每个单元可储存 4bit 数据，跟 TLC 相比，QLC 的储存密度提高了 33%。
QLC NAND 通常用于入门级消费者固态硬盘和大容量存储应用中，QLC NAND 的耐久度最低，通常 P / E Cycle（Program Erase Cycle）在 100 到 1000 之间。
制造商实施先进的错误校正机制、预留配置（OP）和 Wear leveling 以维持可靠性。
虽然 QLC NAND 可能不适合写入密集型工作负载，但它为日常使用提供了充足的存储容量，使固态硬碟在更广泛的用户范围内触手可及。
早有曝料苹果正推进 QLC NAND
最早曝料信息称苹果计划在 iPhone 14 系列上采用 QLC NAND，IT之家今年 1 月报道，苹果可能会在 iPhone 16 Pro 系列上采用 QLC NAND。
集邦咨询预估认为苹果公司正在加速推进 QLC NAND 换代，从而将内置存储上限提高到 2TB。
不过需要注意的是，虽然 QLC 的密度比 TLC 高，但速度却比后者慢；而且单个单元中存在更多的单元，它们的耐用性较差，这意味着它们能处理的写入周期比 TLC 少。
迎接大语言模型
苹果公司还在探索如何使用 NAND 闪存，而不是内存来存储大型语言模型（LLMs），从而能够在本地运行更多AI任务，因此过渡到 QLC NAND 可能有助于改善 Apple Intelligence 的表现。